LEYES DE OHM Y DE KIRCHHOFF - Determinar la temperatura para cada resistencia en los circuitos experimentados.

Tenemos a continuación los datos de cada resistencia de los circuitos anteriormente analizados

LEYES DE OHM Y DE KIRCHHOFF - Porque en la instalación se usa mas la conexión en paralelo.

3.-  Porque en la instalación se usa mas la conexión en paralelo.

 

Este tipo de conexión es usada en las instalaciones eléctricas en general porque nos permite accionar las cargas a voluntad e independientemente unas de otra.

Cualquier equipo trabaja con un parámetro fijo que es la tensión de alimentación por lo tanto debemos dotarle de este requerimiento, la conexión que mas se adecuase la conexión paralelo, mas que todo para evitar la caída de tensión.

LEYES DE OHM Y DE KIRCHHOFF - CUESTIONARIO (III)

2.- En los circuitos que a continuación se muestra, indique la relación existente entre I1, I2, I3.

LEYES DE OHM Y DE KIRCHHOFF - CUESTIONARIO (II)

A medida que cortocircuitamos las resistencias el voltaje aumenta en cada una de ellas y debido a esto la temperatura en la resistencia aumenta generando un aumento de temperatura en las resistencias ocasionando que dichas resistencias aumenten y la corriente disminuya a medida que la corriente circula a través de ellas, por lo que concluimos, ante un aumento de temperatura su resistencia aumenta, pasando lo contrario ante una disminución:
Es decir:

R = 𝜟 t x V

LEYES DE OHM Y DE KIRCHHOFF - CUESTIONARIO (I)

1.- Explique porque la ley de Ohm no se cumple directamente en el circuito a medida que vamos cortocircuitando resistencias ( = = = ).
Analizando el circuito experimental

Este circuito muestra tres resistencias iguales sometidas a una tensión V en el cual los voltajes se reparten es decir que en cada resistencia es V/4 por lo tanto la corriente por la ley de óhm es:

LEYES DE OHM Y DE KIRCHHOFF - LECTURA DE DATOS

Circuito en serie

V (Alim) = 8.23 [V]

I =0.022[mA]

Resistencias	R0 (vació)  [KW]	R(calculado) [KW]	V [V]	Polaridad	I[mA]
R1	219	235	5.17	m+ (a)  -n	0.022
R2	120	129	2.84	n+ (a)   -o	0.022
R3	0.460	0.54	0.012	p+  (a) -q	0.022
R4	0.057	0.059	0.0013	n+ (a)  -p	0.022

Circuito en paralelo

V (Alim) = 8.56 [V]

I = 90.964[mA]

Resistencias	R0 (vació)  [KW]	R(calculado) [KW]	V [V]	Polaridad	I[mA]
R1	219	240	5.29	m+ (a)  -n	0.022
R2	120	126	5.29	m+ (a)  -n	0.042
R3	0.460	0.51	5.29	m+ (a)  -n	10.90
R4	0.057	0.059	5.29	m+ (a)  -n	90.00

Circuito mixto (Puente de Wheatstone)

V (Alim) = 8.31 [V]

I=14.59 [mA]

Resistencias	R0 (vació)  [KW]	R(calculado) [KW]	V [V]	Polaridad	I[mA]
R1	219	228.6	6.86	a+ (a)  -d	0.030
R2	120	146.6	0.88	d+(a)   -b	0.006
R3	0.460	0.473	6.88	a+ (a) -c	14.54
R4	0.057	0.057	0.82	c+ (a)  -b	14.51
R5	2.16	2.320	0.512	d+ (a) –c	0.022